采用打线工艺封装的芯片的开封方法、应用和失效分析方法
公开
摘要
本发明提供了一种采用打线工艺封装的芯片的开封方法、应用和失效分析方法，涉及半导体技术领域，具体包括：先对封装芯片样品进行晶粒定位，并对晶粒对应的位置进行封装体减薄，然后通过预设配比的配置酸去除减薄后的所述封装芯片样品表面的环氧树脂，然后对晶粒进行表面清洗并晾干。这样，采用激光减薄封装体和的配置酸对采用打线工艺封装的芯片进行开封，通过一种配置酸即可开封目前市场上常见封装芯片样品，避免了因判断打线材质失误导致打线被腐蚀的问题，为后续有源区的失效分析提供了前提条件。
基本信息
专利标题 ：
采用打线工艺封装的芯片的开封方法、应用和失效分析方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114578203A
申请号 ：
CN202210477878.9
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-05-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
范小涛高强季春葵
申请人 ：
江山季丰电子科技有限公司;上海季丰电子股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省衢州市江山市双塔街道文教西路15号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
宋南
优先权 ：
CN202210477878.9
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01N1/34 G01N1/44
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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