基于CMOS工艺实现的全集成无线发射芯片

授权

摘要

本实用新型公开了一种基于CMOS工艺实现的全集成无线发射芯片，其包括时钟振荡器、按键供电模块、编码电路、功率放大电路、带隙基准电路及稳压电路；无线发射芯片的接口电路包括按键供电输出端、接地的电源负端输入端、功率输出端和若干个按键输入端；所述按键供电模块由若干按键供电电路构成，每一按键供电电路提供一按键输入端，所述供电电路由第一二极管和第二二极管组成；第一二极管的正极接按键输入端，第一二极管的负极接所述按键供电输出端和所述带隙基准电路及所述稳压电路；第二二极管的负极接所述按键输入端，第二二极管的正极接地。本实用新型具有集成度更高，可靠性高，系统更简洁，整体方案成本更低，可适应更多的无线发射装置。

基本信息

专利标题：

基于CMOS工艺实现的全集成无线发射芯片

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921430198.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-08-30

授权号：

CN210983726U

授权日：

2020-07-10

发明人：

不公告发明人

申请人：

苏州锐联芯半导体有限公司

申请人地址：

江苏省苏州市高新区科技城科灵路78号7号楼601室

代理机构：

苏州通途佳捷专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

闵东

优先权：

CN201921430198.1

主分类号：

G08C17/02

IPC分类号：

G08C17/02 H04B1/04