含金刚石膜的SOI集成电路芯片材料及其制作工艺
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明是含金刚石膜的ＳＯＩ集成电路芯片材料及制作工艺。其结构按顺序为单晶硅薄层（３）、SiO2过渡层（５）、金刚石膜（２）、多晶硅（４）。其工艺是在单晶硅片上逐层生长SiO2过渡层、金刚石膜和多晶硅，再对单晶硅片进行减薄处理。生长金刚石膜是以丙酮为原料气体，减薄是机械抛光后使用离子束溅射技术。本发明不经高温区熔，工艺简单，可防止氧及杂质渗入，单晶硅薄层质量好；制作的集成电路具有抗辐射能力强、漏电小、性能稳定、界面态密度低等优点。
基本信息
专利标题 ：
含金刚石膜的SOI集成电路芯片材料及其制作工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1109518A
申请号 ：
CN94103623.5
公开（公告）日 ：
1995-10-04
申请日 ：
1994-04-01
授权号 ：
CN1041119C
授权日 ：
1998-12-09
发明人 ：
顾长志金曾孙吕宪义邹广田
申请人 ：
吉林大学
申请人地址 ：
130023吉林省长春市解放大路83号
代理机构 ：
吉林大学专利事务所
代理人 ：
王恩远
优先权 ：
CN94103623.5
主分类号 ：
C30B25/00
IPC分类号 ：
C30B25/00 H01L21/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
法律状态
2001-05-30 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1998-12-09 ：
授权
1997-09-10 ：
实质审查请求的生效
1995-10-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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