一种稳定性强的沟槽IGBT芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种稳定性强的沟槽IGBT芯片，涉及芯片设备技术领域。本实用新型包括固定板，固定板的内部开设有第一槽道，第一槽道的内部设置有两转动组件，转动组件包括：第一转动杆，第一转动杆的上侧安装有第一齿轮、两蜗杆；第一槽道的内部转动配合有第二转动杆、四蜗轮，第一槽道的内部滑动配合有两第二齿轮，且两第二齿轮分别与两第一齿轮啮合。本实用新型通过设置的转动件，当转动第一转动杆时，第一转动杆带动转动件转动，从而对固定板进行固定，方便了安装者的安装，降低了安装者在安装时的难度，提高了装置的安装的效率，而设置的第二齿轮，减少了第一齿轮在试用时晃动的情况发生，从而提高了装置的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种稳定性强的沟槽IGBT芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202121910477.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-08-16
授权号 ：
CN216288385U
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
黄昌民
申请人 ：
无锡德力芯半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新华路8号（9号厂房）
代理机构 ：
北京睿博行远知识产权代理有限公司
代理人 ：
张燕平
优先权 ：
CN202121910477.5
主分类号 ：
H01L23/10
IPC分类号 ：
H01L23/10 H01L23/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
H01L23/10
按部件间，例如在容器的帽盖和基座之间或在容器的引线和器壁之间的封接的材料或配置的特点进行区分的
法律状态
2022-04-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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