改善沟槽功率MOS器件栅电极金属层粘附性的结构
专利权的终止
摘要
一种改善沟槽功率MOS器件栅电极金属层粘附性的结构，从截面上看，该结构制造层自上而下依次设有栅电极金属层、绝缘介质层、绝缘栅氧化层、第一导电类型掺杂层以及第二导电类型外延层，其特征在于：在沟槽型导电多晶硅正上方的绝缘介质层上开有接触孔或设有凹陷，使栅电极金属层从该接触孔或凹陷中向下延伸形成层间楔和。由于栅电极金属层与绝缘介质层层间结合面之间存在楔和，因此提高了栅电极金属层的粘附力，可以有效防止栅电极金属层在铜引线压焊过程中因存在拉拔力而造成的剥落。
基本信息
专利标题 ：
改善沟槽功率MOS器件栅电极金属层粘附性的结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200820033186.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2008-03-25
授权号 ：
CN201181707Y
授权日 ：
2009-01-14
发明人 ：
朱袁正秦旭光
申请人 ：
苏州硅能半导体科技股份有限公司
申请人地址 ：
215021江苏省苏州市苏州工业园区机场路328号国际科技园C301单元
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
马明渡
优先权 ：
CN200820033186.0
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423
法律状态
2018-04-17 ：
专利权的终止
专利权有效期届满IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20080325
授权公告日 : 20090114
申请日 : 20080325
授权公告日 : 20090114
2009-01-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
