最小死区三维沟槽电极硅探测器
授权
摘要
本实用新型公开了一种最小死区三维沟槽电极硅探测器，其探测单元包括长方体状的探测基体，探测基体横截面的中间、侧边中间和四角均设有柱状电极，探测基体从上到下刻蚀有井字形电极，探测基体从下到上刻蚀有多边形电极，井字形电极的底部与多边形电极的顶部抵靠，柱状电极顶部和井字形电极顶部均附着有铝电极层，铝电极层间的探测基体上附着有二氧化硅绝缘层，柱状电极底部、探测基体底部和多边形电极底部均附着有二氧化硅保护层；本实用新型内部死区面积较小，对电荷的收集效率较高，探测单元彼此之间不会相互干扰，独立性较好。
基本信息
专利标题 ：
最小死区三维沟槽电极硅探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020638152.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-24
授权号 ：
CN211828781U
授权日 ：
2020-10-30
发明人 ：
李正周滔
申请人 ：
湘潭大学
申请人地址 ：
湖南省湘潭市雨湖区北二环湘潭大学
代理机构 ：
长沙新裕知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘熙
优先权 ：
CN202020638152.5
主分类号 ：
H01L31/0224
IPC分类号 ：
H01L31/0224 H01L31/108
法律状态
2020-10-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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