一种螺旋环电极硅阵列探测器
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摘要

本实用新型公开了一种螺旋环电极硅阵列探测器,涉及辐射探测技术领域,其螺旋环电极面积远小于传统的整面电极面积,漏电流和电容更小,噪声小能量分辨率高;根据现有工艺,像素可以做到微纳级别,位置分辨率很高;探测器可以灵活设置加压方式,螺旋环的设计使得该电极有足够的空间来作为读出电极或者施加偏置电压,具体方案为:包括柱形基体,基体顶面上设有掺杂形成的螺旋环电极和中央电极共同构成的阴极,中央电极位于螺旋环电极正中,螺旋环电极环绕于中央电极之外,螺旋环电极的螺旋环数量为K,K为正整数,基体底面为掺杂形成的阳极;基体顶面电极上设有电极接触层,在没有电极接触层的地方覆盖有SiO2,基体底面整面电极设有电极接触层。

基本信息
专利标题 :
一种螺旋环电极硅阵列探测器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021870598.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-01
授权号 :
CN213459767U
授权日 :
2021-06-15
发明人 :
刘曼文李正李鑫卿
申请人 :
鲁东大学
申请人地址 :
山东省烟台市芝罘区红旗中路186号
代理机构 :
重庆市信立达专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
陈炳萍
优先权 :
CN202021870598.7
主分类号 :
H01L31/115
IPC分类号 :
H01L31/115  H01L31/0352  H01L31/0224  
法律状态
2021-06-15 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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