测试电路、测试热载流子注入效应的方法与测试装置

实质审查的生效

摘要

本申请实施例提供了一种测试电路、测试热载流子注入效应的方法与测试装置。该装置包括：N个电阻单元，N个电阻单元串联形成电阻串结构；电流检测单元，用于检测流过电阻串结构的电流；第一电极、第二电极、开关器件和N个测试电极，其中，电阻串结构的第一端与电源端电连接，电阻串结构的第二端分别与第一电极和开关器件的第一端电连接，开关器件的第二端接地；N个电阻单元的第二端用于与N个待测试MOS器件的栅极一一对应电连接；N个测试电极用于与N个待测试MOS器件的漏极一一对应电连接。本测试电路一次可以测得多个待测试MOS器件的不同栅极电压或者漏极电压的HCI，提高了测试效率。

基本信息

专利标题：

测试电路、测试热载流子注入效应的方法与测试装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114487754A

申请号：

CN202210119353.8

公开（公告）日：

2022-05-13

申请日：

2022-02-08

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

王志强

申请人：

长江存储科技有限责任公司

申请人地址：

湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

霍文娟

优先权：

CN202210119353.8

主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

G01R31/26

IPC结构图谱

G部——物理

G01

测量；测试

G01R

测量电变量；测量磁变量

G01R31/26

•单个半导体器件的测试

法律状态

2022-05-31 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20220208

2022-05-13 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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