用于寻址奈米级电阻式存储阵列之二极管阵列架构
专利权的终止
摘要
本发明之存储结构包括：第一导体(BL)；第二导体(WL)；连接至该第二导体(WL)之电阻式存储单元(130)；连接至该电阻式存储单元(130)及该第一导体(BL)之第一二极管(134)，该第一二极管(134)定位在从电阻式存储单元(130)至该第一导体(BL)的正向方向；以及连接至该电阻式存储单元(130)及第一导体(BL)之第二二极管(132)，该第二二极管(132)与该第一二极管(134)并联，且定位在从该电阻式存储单元(130)至该第一导体(BL)的反方向。该第一及第二二极管(134、132)具有不同的临界电压。
基本信息
专利标题 ：
用于寻址奈米级电阻式存储阵列之二极管阵列架构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101057330A
申请号 ：
CN200580039025.1
公开（公告）日 ：
2007-10-17
申请日 ：
2005-11-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
N·H·特里普沙斯C·S·比尔M·A·范巴斯科克M·拜诺斯基T－N·方W·D·蔡S·K·潘格勒S·阿万兹诺
申请人 ：
斯班逊有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
程伟
优先权 ：
CN200580039025.1
主分类号 ：
H01L27/10
IPC分类号 ：
H01L27/10 H01L27/102
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
法律状态
2012-01-11 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101169509766
IPC(主分类) : H01L 27/10
专利号 : ZL2005800390251
申请日 : 20051110
授权公告日 : 20101027
终止日期 : 20101110
号牌文件序号 : 101169509766
IPC(主分类) : H01L 27/10
专利号 : ZL2005800390251
申请日 : 20051110
授权公告日 : 20101027
终止日期 : 20101110
2010-10-27 ：
授权
2007-12-12 ：
实质审查的生效
2007-10-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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