存储阵列
授权
摘要
本公开提供一种存储阵列。存储阵列包括：呈m行n列排列的mn/2个单晶硅柱，所述单晶硅柱位于奇数行偶数列和偶数行奇数列，或者位于奇数行奇数列和偶数行偶数列；n/2列平行排列的位线，每条所述位线连接相邻两列单晶硅柱的下部；m行平行排列的字线，每条所述字线包裹一行所述单晶硅柱的中部；mn/2个电容，所述电容的下极板分别与所述mn/2个单晶硅柱的上部电连接。本公开实施例可以增加存储阵列中存储单元的密度，或者增大存储单元的电容。
基本信息
专利标题 ：
存储阵列
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922036688.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-22
授权号 ：
CN210640251U
授权日 ：
2020-05-29
发明人 ：
曺奎锡
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙宝海
优先权 ：
CN201922036688.X
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L27/02 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2020-05-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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