编程、读取及擦除存储－二极管阵列中的存储－二极管的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种存储阵列(140)包括第一和第二组导体(142)、(144)以及数个存储－二极管(130)，各个存储－二极管顺向连接该第一组导体(BL)(142)和该第二组导体(WL)(144)。在顺向从高电位至低电位施加电位通过选择的存储－二极管(130)，预定编程该选择的存储－二极管(130)。在该预定编程期间，提供该阵列(140)中之各其它存储－二极管(130)在其顺向之通过其中之较其临界电压低的电位。藉由在反向从高电位至低电位施加通过存储－二极管(130)的电位可建立各存储－二极管(130)的临界电压。藉由如此建立足够的临界电压，以及藉由选择施加至该阵列(140)之导体之适当电位，可避免漏电流和干扰等相关问题。
基本信息
专利标题 ：
编程、读取及擦除存储－二极管阵列中的存储－二极管的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101084555A
申请号 ：
CN200580043866.X
公开（公告）日 ：
2007-12-05
申请日 ：
2005-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
C·S·比尔S·卡扎T－N·方S·斯皮策
申请人 ：
斯班逊有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
程伟
优先权 ：
CN200580043866.X
主分类号 ：
G11C16/10
IPC分类号 ：
G11C16/10
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/10
编程或数据输入电路
法律状态
2009-10-21 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-01-23 ：
实质审查的生效
2007-12-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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