小容量存储阵列的擦除校验方法、擦除方法和解码电路
实质审查的生效
摘要

本发明涉及半导体集成电路技术领域,具体公开了一种小容量存储阵列的擦除校验方法、擦除方法和解码电路,其中,擦除校验方法包括以下步骤:建立映射关系,所述映射关系用于将对不存在于所述小容量存储阵列的字线地址的处理操作映射为对与所述小容量存储阵列的真实字线地址的处理操作;根据所述映射关系对所述小容量存储阵列进行擦除校验;该擦除校验方法通过建立不存在于小容量存储阵列的字线地址与小容量存储阵列的真实字线地址的映射关系,使得对该小容量存储阵列进行擦除校验时,遍历的所有地址均有对应的真实字线地址,即有对应真实存在的存储单元,从而使得擦除校验步骤能顺利执行。

基本信息
专利标题 :
小容量存储阵列的擦除校验方法、擦除方法和解码电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114267401A
申请号 :
CN202111391835.0
公开(公告)日 :
2022-04-01
申请日 :
2021-11-19
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
吴彤彤蒋丁温靖康
申请人 :
成都博尔微晶科技有限公司;芯天下技术股份有限公司
申请人地址 :
四川省成都市自由贸易试验区成都高新区天府大道中段666号2栋8楼802号
代理机构 :
佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
陈志超
优先权 :
CN202111391835.0
主分类号 :
G11C16/34
IPC分类号 :
G11C16/34  G11C16/16  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的,例如,FAMOS
G11C16/34
编程状态的确定,例如,阈值电压、过编程或欠编程、保留
法律状态
2022-04-19 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 16/34
申请日 : 20211119
2022-04-01 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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