页缓冲器电路及采用该电路读取和编程数据的方法
专利权的终止
摘要

提供了一种减小了尺寸的页缓冲器电路、以及用于读取和编程数据的方法。在读取操作中,页缓冲器电路通过交替地使用高位或低位寄存器来读取数据位,而不管来自多电平元件的数据位是高位还是低位,从而减小了电路面积,并且改善了操作性能。

基本信息
专利标题 :
页缓冲器电路及采用该电路读取和编程数据的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1901091A
申请号 :
CN200510135714.4
公开(公告)日 :
2007-01-24
申请日 :
2005-12-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
成镇溶元嘇规
申请人 :
海力士半导体有限公司
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
邸万奎
优先权 :
CN200510135714.4
主分类号 :
G11C16/06
IPC分类号 :
G11C16/06  G11C16/10  G11C16/26  G11C7/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/06
辅助电路,例如:用于写入存储器的
法律状态
2015-02-18 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101599304324
IPC(主分类) : G11C 16/06
专利号 : ZL2005101357144
申请日 : 20051228
授权公告日 : 20090506
终止日期 : 20131228
2009-05-06 :
授权
2007-03-21 :
实质审查的生效
2007-01-24 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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