通过限制擦除和编程之间的时间间隙来提高模拟非易失性存储器...
公开
摘要
本发明公开了一种具有非易失性存储器单元和控制器的存储器设备。响应于擦除和编程存储器单元的第一组的第一命令，该控制器确定该第一组可以在其擦除后的大致10秒内被编程，擦除该第一组，并且在其擦除后的大致10秒内对该第一组进行编程。响应于擦除和编程存储器单元的第二组的第二命令，该控制器确定该第二组无法在其擦除后的大致10秒内被编程，将该第二组分成存储器单元的子组，每个子组可以在其擦除后的大致10秒内被编程，并且针对子组中的每一个子组，擦除子组并且在其擦除后的大致10秒内对该子组进行编程。
基本信息
专利标题 ：
通过限制擦除和编程之间的时间间隙来提高模拟非易失性存储器中的读取电流稳定性的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114303199A
申请号 ：
CN202080061328.8
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2020-08-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
V·马克夫A·柯多夫
申请人 ：
硅存储技术股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
蔡悦
优先权 ：
CN202080061328.8
主分类号 ：
G11C29/04
IPC分类号 ：
G11C29/04 G11C29/06 G11C29/44 G11C29/50 G11C16/04 G11C16/10 G11C16/16 G11C16/26 G11C16/28 G11C16/34 H01L27/11524 H01L27/11529 G06F12/02 G11C11/56 G11C29/00 H01L29/423
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/00
存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器
G11C29/04
损坏存储元件的检测或定位
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
