存储阵列
授权
摘要
本公开提供一种存储阵列。存储阵列包括：呈m行n列排列的mn/2个单晶硅柱，所述单晶硅柱位于奇数行偶数列和偶数行奇数列，或者位于奇数行奇数列和偶数行偶数列；n列平行排列的位线，每条所述位线包裹一列所述单晶硅柱的下部；m/2行平行排列的字线，每条所述字线连接相邻两行单晶硅柱的中部，每条所述字线连接的所述单晶硅柱均不相同，所述字线为直线；mn/2个电容，所述电容的下极板分别与所述mn/2个单晶硅柱的上部电连接。本公开实施例可以增加存储阵列中存储单元的密度。
基本信息
专利标题 ：
存储阵列
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922036663.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-22
授权号 ：
CN210640218U
授权日 ：
2020-05-29
发明人 ：
曺奎锡
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙宝海
优先权 ：
CN201922036663.X
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L27/105
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2020-05-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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