用于制造集成电路的电容器器件的方法与结构

专利申请权、专利权的转移

摘要

一种包括电容器结构的DRAM器件，包括具有表面区的衬底。表面区上具有中间电介质层。中间电介质层具有上下表面。器件在中间电介质层中具有容器结构。容器结构从上表面延伸到下表面且在上/下表面分别具有第一/第二宽度。容器结构具有从上表面到下表面的内区。容器结构在下表面附近的内区部分中以及在靠近下表面附近的内区部分上具有较高掺杂剂浓度。器件还具有在所述内区上的掺杂多晶硅层。器件在容器结构下表面的附近具有第一颗粒尺寸的第一半球形颗粒状硅材料，在所述容器结构上表面的附近具有第二颗粒尺寸的第二半球形颗粒状硅材料。第一颗粒尺寸的平均大小不大于第二颗粒尺寸的约1/2，以防止下表面附近的半球形颗粒状硅材料的任何部分的桥接。

基本信息

专利标题：

用于制造集成电路的电容器器件的方法与结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1979811A

申请号：

CN200510111134.1

公开（公告）日：

2007-06-13

申请日：

2005-11-30

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

李若加陈国庆三重野文健

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

代理人：

王怡

优先权：

CN200510111134.1

主分类号：

H01L21/8242

IPC分类号：

H01L21/8242 H01L21/8222 H01L21/82 H01L21/02 H01L21/00 H01L27/108 H01L27/102 H01L27/10

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/77

在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理

H01L21/78

把衬底连续地分成多个独立的器件

H01L21/82

制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路

H01L21/822

衬底是采用硅工艺的半导体的

H01L21/8232

场效应工艺

H01L21/8234

MIS工艺

H01L21/8239

存储器结构

H01L21/8242

动态随机存取存储结构

法律状态

2012-01-04 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101259320041
IPC(主分类) : H01L 21/8242
专利号 : ZL2005101111341
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111129

2008-08-20 ：

授权

2007-08-08 ：

实质审查的生效

2007-06-13 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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