制造电容器和半导体器件的方法

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

在制造电容器和半导体器件的方法中，在具有接触插塞的衬底上形成模制层。该模制层包括露出接触插塞的开口。在接触插塞、开口的内侧壁以及模制层上形成导电层。形成光致抗蚀剂图形，以基本填充该开口。通过部分去除导电层，形成圆柱形下电极。选择性地去除模制层，同时光致抗蚀剂图形防止破坏下电极、接触插塞和衬底。去除光致抗蚀剂图形，然后，在下电极上形成介质层和上电极。因为存在光致抗蚀剂图形，所以在选择性地去除模制层期间，可以有效防止破坏下电极和接触插塞。

基本信息

专利标题：

制造电容器和半导体器件的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1801476A

申请号：

CN200510126956.7

公开（公告）日：

2006-07-12

申请日：

2005-11-29

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

沈愚锡林泳旭李重泫尹广燮金喆浩朴兑津

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

林宇清

优先权：

CN200510126956.7

主分类号：

H01L21/8242

IPC分类号：

H01L21/8242 H01L21/8222 H01L21/82