用于制造半导体器件的电容器的方法
授权
摘要
本发明涉及一种用于制造半导体器件的电容器的方法，其包括在半导体衬底上形成具有贮存节点插塞的第一绝缘层；在具有第一绝缘层的衬底上顺序形成蚀刻停止层和第二绝缘层；通过利用蚀刻停止层来选择性地蚀刻第二绝缘层，形成暴露贮存节点插塞的一部分的孔；使被孔暴露的贮存节点插塞的一部分凹进；在凹进的贮存节点插塞的表面上形成阻挡金属层；在孔内形成贮存节点电极，其经由阻挡金属层连接到贮存节点插塞；以及在贮存节点电极上顺序形成介电层和用于极板电极的金属层。
基本信息
专利标题 ：
用于制造半导体器件的电容器的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790610A
申请号 ：
CN200510107620.6
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
崔亨福朴钟范李起正李钟旼
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李晓舒
优先权 ：
CN200510107620.6
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2008-01-30 ：
授权
2006-08-16 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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