集成电路
授权
摘要
本公开涉及集成电路。集成电路包括：半导体衬底；覆盖半导体衬底的绝缘层；覆盖绝缘层的第一导电类型的半导体层，半导体层包括纵向长度；覆盖半导体层、彼此间隔开的多个突起区域。多个突起区域中的每一个包括与半导体层的纵向长度相等的纵向长度。集成电路还包括在半导体层中的PN结序列，其中每个PN结位于相关联的突起区域的边缘处并从半导体层的上表面竖直延伸到绝缘层。根据本公开的集成电路减少了寄生PN结的影响以及二极管特性的不可预测性。
基本信息
专利标题 ：
集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021900502.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-03
授权号 ：
CN214068711U
授权日 ：
2021-08-27
发明人 ：
F·拉罗萨S·尼埃尔A·雷尼耶
申请人 ：
意法半导体(鲁塞)公司
申请人地址 ：
法国鲁塞
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN202021900502.7
主分类号 ：
H01L21/822
IPC分类号 ：
H01L21/822 H01L27/102 H01L27/11519 H01L27/11521
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
法律状态
2021-08-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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