CMOS图像传感器及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供了一种CMOS图像传感器及其制造方法，通过防止在微透镜的周边部分的不良光折射特性来提高图像传感器的光接收性能。该CMOS图像传感器包括至少一个由各向异性蚀刻形成的微透镜，该微透镜具有聚焦中心线、中央透镜部分、以及周边透镜部分，其中该聚焦中心线通过该中央透镜部分，周边透镜部分围绕该中央透镜部分。中央透镜部分具有基于第一半径的第一凸曲率，周边透镜部分具有基于大于第一半径的第二半径的第二凸曲率。
基本信息
专利标题 ：
CMOS图像传感器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1773714A
申请号 ：
CN200510115664.3
公开（公告）日 ：
2006-05-17
申请日 ：
2005-11-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李启勋
申请人 ：
东部亚南半导体株式会社
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
余刚
优先权 ：
CN200510115664.3
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H01L21/822
法律状态
2014-12-31 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101593356847
IPC(主分类) : H01L 27/146
专利号 : ZL2005101156643
申请日 : 20051108
授权公告日 : 20081015
终止日期 : 20131108
号牌文件序号 : 101593356847
IPC(主分类) : H01L 27/146
专利号 : ZL2005101156643
申请日 : 20051108
授权公告日 : 20081015
终止日期 : 20131108
2008-10-15 ：
授权
2006-07-12 ：
实质审查的生效
2006-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
