半导体存储装置的结构及其制造方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

交叉点结构的半导体存储装置具备在同一方向上延伸的多个上部电极(2)和在与上述上部电极(2)的延伸方向正交的方向上延伸的多个下部电极(1)，在上述上部电极(2)与上述下部电极(1)之间的层上形成用于存放数据的存储材料体，上述存储材料体由钙钛矿材料构成，并且以沿上述上部电极(2)延伸的方式形成于上述上部电极(2)各自的上述下部电极(1)一侧。

基本信息

专利标题：

半导体存储装置的结构及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1776912A

申请号：

CN200510125483.9

公开（公告）日：

2006-05-24

申请日：

2005-11-17

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

大西哲也新村尚之山崎信夫涩谷隆广中野贵司田尻雅之大西茂夫

申请人：

夏普株式会社

申请人地址：

日本大阪市

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

浦柏明

优先权：

CN200510125483.9

主分类号：

H01L27/10

IPC分类号：

H01L27/10 H01L21/822

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L27/00

由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件

H01L27/02

包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的

H01L27/04

其衬底为半导体的

H01L27/10

在重复结构中包括有多个独立组件的

法律状态

2013-03-20 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101536195590
IPC(主分类) : H01L 27/10
专利号 : ZL2005101254839
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 夏普株式会社
变更后权利人 : 艾凯弗特知识产权公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本大阪市
变更后权利人 : 匈牙利布达佩斯
登记生效日 : 20130217

2013-03-20 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101536195591
IPC(主分类) : H01L 27/10
专利号 : ZL2005101254839
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 艾凯弗特知识产权公司
变更后权利人 : 异基因开发有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 匈牙利布达佩斯
变更后权利人 : 美国特拉华州
登记生效日 : 20130217

2008-12-10 ：

授权

2006-07-19 ：

实质审查的生效

2006-05-24 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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