光电二极管具有铟连接层的图像传感器像素
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本发明公开了一种采用PIN型光电二极管的有源像素，该像素包括一设在半导体基体内的光电二极管，该光电二极管为形成于P－型区域内的N－区域。该光电二极管还进一步包括位于所述N－区域上方的P+连接层，该P+连接层是由铟植入或铟/硼植入而形成的。本发明的像素可进一步包括设在光电二极管与浮动节点之间的传输晶体管，以将信号选择性地从光电二极管传输至浮动节点。本发明的像素可更进一步地包括被浮动节点控制的放大晶体管。
基本信息
专利标题 ：
光电二极管具有铟连接层的图像传感器像素
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1841791A
申请号 ：
CN200510126641.2
公开（公告）日 ：
2006-10-04
申请日 ：
2005-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
霍华德·E·罗德斯
申请人 ：
豪威科技有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
广州三环专利代理有限公司
代理人 ：
戴建波
优先权 ：
CN200510126641.2
主分类号 ：
H01L31/105
IPC分类号 ：
H01L31/105 H01L27/146 H01L31/18 H01L21/822
法律状态
2017-10-20 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 31/105
变更事项 : 专利权人
变更前 : 豪威科技有限公司
变更后 : 豪威科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国加利福尼亚州
变更后 : 美国加利福尼亚州
变更事项 : 专利权人
变更前 : 豪威科技有限公司
变更后 : 豪威科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国加利福尼亚州
变更后 : 美国加利福尼亚州
2011-08-31 ：
授权
2006-12-06 ：
实质审查的生效
2006-10-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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