金属氧化物半导体变容器及使用其的压控振荡器
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
提供了一种MOS变容器,其中振荡频率变化较小,且电容改变电压的变化较小,并且提供了使用所述MOS变容器的压控振荡器,连接了可变静电电容器,作为包括反馈电阻器(1)、放大器(2)和晶体振动器(3)的振荡电路的负载电容器,所述可变静电电容器是在MOS晶体管(5a)和(6a)的每个的漏极/源极端子和栅极端子之间产生的,所述MOS晶体管(5a)和(6a)的每个的源极和漏极端子短路。MOS晶体管(5a)和(6a)的每个的基体端子被连接到电阻器(19)的一个端子,电压被施加到电阻器(19)的另一端子,MOS晶体管(5a)和(6a)的每个的基体端子被连接到电容器(20)的一个端子,并且电容器(20)的另一个端子接地。
基本信息
专利标题 :
金属氧化物半导体变容器及使用其的压控振荡器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1829074A
申请号 :
CN200610054962.0
公开(公告)日 :
2006-09-06
申请日 :
2006-02-27
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
政井茂雄立山雄一大塚崇竹内久人
申请人 :
松下电器产业株式会社
申请人地址 :
日本大阪府
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
黄小临
优先权 :
CN200610054962.0
主分类号 :
H03B5/12
IPC分类号 :
H03B5/12 H03B5/32 H03B5/04
法律状态
2011-01-05 :
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101058456016
IPC(主分类) : H03B 5/12
专利申请号 : 2006100549620
公开日 : 20060906
号牌文件序号 : 101058456016
IPC(主分类) : H03B 5/12
专利申请号 : 2006100549620
公开日 : 20060906
2008-04-23 :
实质审查的生效
2006-09-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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