一种基于硅酸铪的金属氧化物半导体电容器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种基于硅酸铪的金属氧化物半导体电容器件，包括下电极、基底、氧化物层和上电极；所述基底下部设置有下电极；所述基底上部设置有氧化物层；所述氧化物层上面设置有上电极；所述氧化物层为硅酸铪。本实用新型采用高介电常数材料硅酸铪制备半导体器件，具有较好的抗辐射性，满足了半导体器件需要长时间在辐射环境下稳定可靠工作的需求；减少了器件的功耗，在相同的等效厚度下，减少了器件的漏电；在提高抗辐射性的同时，其制备工艺与传统半导体工艺兼容，控制了制备成本。
基本信息
专利标题 ：
一种基于硅酸铪的金属氧化物半导体电容器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920491337.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-12
授权号 ：
CN209747510U
授权日 ：
2019-12-06
发明人 ：
方欲晓赵春赵策洲杨莉
申请人 ：
西交利物浦大学
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区仁爱路111号
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
范晴
优先权 ：
CN201920491337.5
主分类号 ：
H01L23/64
IPC分类号 ：
H01L23/64
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/64
阻抗装置
法律状态
2019-12-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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