包括电阻器的半导体装置及其制备方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明提供了一种包括电阻器的半导体装置及其制备方法，该半导体装置包括设置在半导体衬底中以定义相互间隔的至少两个有源区的隔离绝缘层。阱电阻器图形设置在所述隔离绝缘层的下面以连接所述有源区。上电阻器图形设置在所述隔离绝缘层上位于所述有源区之间。电阻器连接器电连接所述有源区中选出的一个与所述上电阻器图形，使得所述阱电阻器图形和所述上电阻器图形串联连接。
基本信息
专利标题 ：
包括电阻器的半导体装置及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1841742A
申请号 ：
CN200610051486.7
公开（公告）日 ：
2006-10-04
申请日 ：
2006-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴明焕姜熙晟柳忠烈
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610051486.7
主分类号 ：
H01L27/04
IPC分类号 ：
H01L27/04 H01L21/822
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
法律状态
2011-09-14 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101183787650
IPC(主分类) : H01L 27/04
专利申请号 : 2006100514867
公开日 : 20061004
号牌文件序号 : 101183787650
IPC(主分类) : H01L 27/04
专利申请号 : 2006100514867
公开日 : 20061004
2006-12-06 ：
实质审查的生效
2006-10-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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