一种电阻器件结构

授权

摘要

本实用新型提供一种电阻器件结构，包括：衬底，衬底包括浅沟槽隔离区，浅沟槽隔离区上方的多晶硅层，以及至少一个接触结构，接触结构包括：第一金属接触和第二金属接触，第一金属接触位于多晶硅层上，第二金属接触位于衬底上，第一金属接触和第二金属接触连接。这样，通过在多晶硅层上设置第一金属接触，在衬底上设置第二金属接触，并将第一金属接触和第二金属接触连接在一起，从而将多晶硅层上的热量通过第一金属接触以及第二金属接触传递至衬底中，利用金属的导热性以及衬底的散热能力，降低多晶硅层的温度，提高电阻的稳定性。

基本信息

专利标题：

一种电阻器件结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021102854.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-06-15

授权号：

CN212084982U

授权日：

2020-12-04

发明人：

王志强

申请人：

长江存储科技有限责任公司

申请人地址：

湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

柳虹

优先权：

CN202021102854.8

主分类号：

H01L23/367

IPC分类号：

H01L23/367 H01L49/02