适用于功率半导体器件的窄脉冲导通压降测试方法及电路
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种适用于功率半导体器件的窄脉冲导通压降测试方法及电路。其包括电流源，电流源包括储能电容C1以及可调电压源Vadj，储能电容C1通过一测试放电部与待测功率半导体器件的第一测试连接端适配连接，测试放电部包括半导体开关T1以及限制电阻Rlimit，利用一开通驱动信号PWM‑Drive控制半导体开关T1导通，在半导体开关T1导通后，储能电容C1通过测试放电部对待测功率半导体器件放电，以向待测功率半导体器件加载一导通压降测试用的电流脉冲；在开通驱动信号PWM‑Drive的有效时间范围内，利用电压测量装置测量待测功率半导体的电压；本发明能提高功率半导体器件的压降测试精度与可靠性。
基本信息
专利标题 ：
适用于功率半导体器件的窄脉冲导通压降测试方法及电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114441924A
申请号 ：
CN202210370884.4
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-04-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张文亮李文江李全强许宗阳朱阳军
申请人 ：
山东阅芯电子科技有限公司
申请人地址 ：
山东省威海市荣成市崂山南路788号
代理机构 ：
无锡华源专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
过顾佳
优先权 ：
CN202210370884.4
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01R19/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20220411
申请日 : 20220411
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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