半导体器件压膜装置
授权
摘要
本申请是关于一种半导体器件压膜装置。该装置包括压膜头，该压膜头包括基座连接端和压膜端，基座连接端与压膜端固定连接，压膜端设置有端面槽，端面槽内设置有米字型通道槽，米字型通道槽的各方向通道槽相互连通。本申请能够使得不同方向上聚集的焊锡及其气泡就近导流或导气，提高导流导气的效率，同时避免焊锡及其气泡在特定通道槽聚集，从而提高焊锡及其气泡的流动性，使得焊锡分布更加均匀，成型效果好。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件压膜装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202121956400.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-08-19
授权号 ：
CN216227431U
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
赵承贤李鑫周新龙盘伶子
申请人 ：
珠海格力新元电子有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请人地址 ：
广东省珠海市斗门区斗门镇龙山工业区龙山二路东8号
代理机构 ：
广州市时代知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刁益帆
优先权 ：
CN202121956400.1
主分类号 ：
B23K3/00
IPC分类号 ：
B23K3/00 B23K3/08 H01L21/67
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B23
机床；其他类目中不包括的金属加工
B23K
钎焊或脱焊；焊接；用钎焊或焊接方法包覆或镀敷；局部加热切割，如火焰切割；用激光束加工
B23K3/00
用于钎焊，如硬钎焊或脱焊的工具、设备或专用附属装置，不专门适用于特殊方法的
法律状态
2022-04-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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