半导体发光器件及其压膜方法
公开
摘要
本发明公开了一种半导体发光器件及其压膜方法，半导体发光器件的压膜方法包括以下步骤：S1、将半导体发光器件和弹性围堰定位在下治具上，弹性围堰设置在半导体发光器件的外围；S2、将胶液设置在半导体发光器件上并位于弹性围堰的内圈；S3、上治具向下移动直至抵压胶液和弹性围堰的顶部，使得胶液充满上治具和弹性围堰之间界定的空间，均匀覆盖在半导体发光器件上；S4、加热固化处理，使胶液形成均匀的胶膜层；S5、上治具向上移动，与胶膜层脱离；S6、将带有胶膜层的半导体发光器件及弹性围堰一体从下治具取下，切除弹性围堰。本发明的半导体发光器件的压膜方法，获得均匀性好、厚度均匀的胶膜层，提高产品质量；利于多件同时压膜，提高效率。
基本信息
专利标题 ：
半导体发光器件及其压膜方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628567A
申请号 ：
CN202210092574.0
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李刚钟伟荣刘运筹
申请人 ：
深圳大道半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙华区大浪街道新石社区华宁路东龙兴科技园3号厂房201、301
代理机构 ：
深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙)
代理人 ：
王少虹
优先权 ：
CN202210092574.0
主分类号 ：
H01L33/52
IPC分类号 ：
H01L33/52
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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