半导体器件
公开
摘要
一种半导体器件包括：位于衬底上的有源图案、位于所述有源图案上的源极/漏极图案、连接至所述源极/漏极图案并且包括间隔开的垂直堆叠的半导体图案的沟道图案、以及横跨所述沟道图案延伸的栅电极。所述半导体图案包括第一半导体图案和第二半导体图案。所述栅电极包括位于所述衬底与所述第一半导体图案之间的第一部分以及位于所述第一半导体图案与第二半导体图案之间的第二部分。所述第一部分的宽度随着所述第一部分的深度而变化，使得所述第一部分的中部的宽度小于所述第一部分的下部的宽度和所述第一部分的上部的宽度。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582964A
申请号 ：
CN202110819234.9
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-07-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
廉东赫金俊谦李宽钦朴成华徐昭贤
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市立方律师事务所
代理人 ：
李娜
优先权 ：
CN202110819234.9
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/417 H01L27/088
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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