一种降低导通电阻和增加安全工作区的功率半导体器件结构
授权
摘要
一种降低导通电阻和增加安全工作区的功率半导体器件结构，包括N漂移区，在N漂移区内设置的P‑body区，在P‑body区内的表面设置有P+接触层，在P‑body区内P+接触层外围设置有N+源区，其特征在于在P+接触层下方的P‑body区内设置有收集杂散电流的P+埋层；在P‑body区外围的N漂移区表面设置有N+掺杂区；P+埋层的浓度要求比所在区域的P‑body掺杂浓度要高1‑5个量级；N+掺杂区的浓度应低于P‑body区的浓度，且高于N漂移区的浓度。其优点在于可降低导通电阻，增加器件工作安全区。
基本信息
专利标题 ：
一种降低导通电阻和增加安全工作区的功率半导体器件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020505108.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-09
授权号 ：
CN211629116U
授权日 ：
2020-10-02
发明人 ：
弓小武张弦田鸿昌何晓宁陈晓炜
申请人 ：
陕西半导体先导技术中心有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区丈八街办丈八四路20号5幢16层
代理机构 ：
西安乾方知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
胡思棉
优先权 ：
CN202020505108.7
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/78 H01L29/06 H01L29/10
法律状态
2020-10-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
