在此描述了一种半导体器件，其包括形成在衬底上的第一元件部分(126)和形成在衬底上的第二元件部分(128)，第一元件部分是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的操作区域，第二元件部分是二极管的操作区域。第一元件部分包括第二导电类型的第一集电极区域(104)、位于第一集电极区域上方并由半导体衬底形成的第一导电类型的漂移区域(108)、位于漂移区域上方的第一导电类型的第一本体区域(110)、位于漂移区域上方的第二导电类型的第二本体区域(112)、位于第二本体区域上方并且与第一本体区域相比具有更高掺杂浓度的第一导电类型的至少一个第一接触区域(116)、与至少一个第一接触区域侧向相邻的第二导电类型的至少一个第二接触区域(114)，至少一个第二接触区域比第二本体区域具有更高掺杂浓度、第一多个沟槽(124)，其从表面穿过第二导电类型的第二本体区域延伸至漂移区域中。第一多个沟槽中的第一沟槽与第一多个沟槽中的第二沟槽侧向间隔开第一距离(X)。第二元件部分包括第一导电类型的第二集电极区域(120)、位于第二集电极区域上方的第一导电类型的漂移区域(108)、位于漂移区域上方的第二导电类型的第三本体区域(112)、从表面穿过第三本体区域延伸至漂移区域中的第二多个沟槽(118)。第二多个沟槽中的第一沟槽与第二多个沟槽中的第二沟槽侧向间隔开第二距离(X’)，并且第一距离(X)大于第二距离(X’)。该半导体器件还包括第一终端接触件(130)，其电连接到第一导电类型的至少一个第一接触区域和第二导电类型的本体区域；以及第二终端接触件(102)，其电连接到第一集电极区域和第二集电极区域。