一种台面结构铝硼扩散工艺的可控硅芯片
授权
摘要
本实用新型属于硅芯片技术领域，尤其为一种台面结构铝硼扩散工艺的可控硅芯片，包括长基区，所述长基区的上表面设置有正面短基区，所述长基区的下表面设置有背面P型区，所述正面短基区的上表面设置有正面发射区，所述正面短基区的上表面设置有保护膜，所述保护膜、正面短基区和长基区设置有正面沟槽，所述正面沟槽两侧表面设置有正面钝化区，所述保护膜靠近正面发射区的表面设置有正面阴极铝电极；结合铝扩工艺与硼扩工艺的优点，利用铝扩散系数比硼扩散系数大的特点，采取铝硼扩散工艺，对通隔离区与短基区可同步形成，合二为一，扩散时间为30h，极大地提高了生产效率，又可降低表面缺陷，获得良好的Veb特性。
基本信息
专利标题 ：
一种台面结构铝硼扩散工艺的可控硅芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020816530.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-17
授权号 ：
CN211789026U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
宋锐黄传传吴宗杰李运鹏李小丽骆建辉
申请人 ：
江西萨瑞微电子技术有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市临空经济区儒乐湖399号四楼409室
代理机构 ：
南昌佳诚专利事务所
代理人 ：
闵蓉
优先权 ：
CN202020816530.4
主分类号 ：
H01L29/74
IPC分类号 ：
H01L29/74 H01L21/332
法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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