一种高效的硼扩散工艺
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种高效的硼扩散工艺，具体包括以下步骤：1)将N型硅片送入低压扩散炉内并完成升温及捡漏；2)升温至预沉积温度一完成前氧及预沉积一；3)升温至预沉积温度二并恒温一定时间完成推结一，预沉积二及氧化；4)升温至推进温度进行推结二及后氧；5)降温并出管。本发明优点在于：提出一种高效的硼扩散工艺，预沉积一为主要掺杂源，保证了掺杂的深度，在二次沉积前后均有通氧进行氧化的步骤，让硼源沉积在氧化层中(BSG)，保证了硅片在硼掺杂过程中，抑制高浓度硼往硅中扩散，使得非激活硼的含量较少，可有效减少复合，降低表面浓度，从而提升转换效率。
基本信息
专利标题 ：
一种高效的硼扩散工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373674A
申请号 ：
CN202111464207.0
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-12-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
董思敏欧文凯向亮睿
申请人 ：
普乐新能源科技（徐州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市高新区同创路西、五环路北
代理机构 ：
北京盛凡佳华专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
赵浩淼
优先权 ：
CN202111464207.0
主分类号 ：
H01L21/223
IPC分类号 ：
H01L21/223 H01L31/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/22
杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂
H01L21/223
应用从气相向固体或从固体向气相的扩散法
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/223
申请日 : 20211203
申请日 : 20211203
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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