晶圆加工装置
授权
摘要
本申请公开了一种晶圆加工装置，该晶圆加工装置包括：反应腔室，能放置多个沿纵向方向堆叠的晶圆；以及多个第一管路，用于输送第一反应气体，每个第一管路从反应腔室的下方沿纵向方向延伸至相应的预设高度，其中，每个第一管路的输气口在相应的预设高度处向反应腔室提供第一反应气体，且多个第一管路的输气口分别与不同位置处的晶圆对应。该晶圆加工装置通过在不同预设高度分别向晶圆提供第一反应气体，使得每个晶圆都可以充分与第一反应气体接触并发生反应。
基本信息
专利标题 ：
晶圆加工装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109950143A
申请号 ：
CN201910232338.2
公开（公告）日 ：
2019-06-28
申请日 ：
2019-03-26
授权号 ：
CN109950143B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
郭帅宋海王秉国王孝进潘国卫蒲浩
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
李向英
优先权 ：
CN201910232338.2
主分类号 ：
H01L21/223
IPC分类号 ：
H01L21/223 H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/22
杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂
H01L21/223
应用从气相向固体或从固体向气相的扩散法
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2019-07-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/223
申请日 : 20190326
申请日 : 20190326
2019-06-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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