一种新型TOPCon硼扩散石英管装置
公开
摘要
本发明属于TOPCon电池技术领域，具体涉及一种新型TOPCon硼扩散石英管装置，包括外石英管和内石英管，所述外石英管的尾端设有一条外石英管尾气管，所述内石英管的尾端设有两条平行的内石英管尾气管，所述外石英管尾气管和内石英管尾气管位于同侧，所述外石英管套设于所述内石英管的外表面，并且所述外石英管的内表面与内石英管的外表面之间形成空腔状的中间气体区域。本发明大大提高了石英管的使用寿命，由3个月提升至6个月以上，提高了生产效率，降低了石英管破裂带来的成品不良率。
基本信息
专利标题 ：
一种新型TOPCon硼扩散石英管装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566428A
申请号 ：
CN202210201135.9
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-03-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谢耀辉曾玉婷王琳琳张鹏曹其伟
申请人 ：
江西中弘晶能科技有限公司
申请人地址 ：
江西省抚州市宜黄县六里铺工业园区谭坊小区
代理机构 ：
南昌合达信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘丹
优先权 ：
CN202210201135.9
主分类号 ：
H01L21/223
IPC分类号 ：
H01L21/223 H01L31/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/22
杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂
H01L21/223
应用从气相向固体或从固体向气相的扩散法
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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