本申请属于半导体制造技术领域，具体涉及一种扩散炉。本申请的扩散炉包括炉体、多个气体导出口和至少一个排气口，炉体内限定出反应腔，多个气体导出口沿炉体的轴向方向间隔设于反应腔的侧壁上，多个气体导出口与至少一个排气口相连通。根据本申请的扩散炉，通过设置与排气口相连通的多个气体导出口，且使多个气体导出口沿炉体的轴向方向间隔设置，能够使扩散炉内未参与反应的气体通过多个气体导出口及时排出，保证扩散炉内反应气体的分布均匀，防止由于炉体内的未反应气体堆积导致晶圆的扩散厚度不一致，从而有效地提高晶圆的扩散质量。