一种硅片加工用扩散氧化装置
公开
摘要
本申请提供了一种硅片加工用扩散氧化装置，属于硅片加工技术领域。该硅片加工用扩散氧化装置包括加工组件和散热组件。所述加工组件包括炉体、石英管和送气件，所述石英管位于所述炉体内部，所述送气件连通于所述石英管，通过所述送气件将工艺气体输送至所述石英管内部；所述散热组件包括壳体、固定盘、风扇和转动件，所述壳体套接于所述炉体外部，所述固定盘安装于所述壳体内部一侧，所述风扇安装于所述固定盘一侧，所述转动件安装于所述固定盘另一侧，所述转动件和所述风扇传动连接。根据本申请的硅片加工用扩散氧化装置对位于所述石英管内的硅片进行快速降温，加快降温速率，减短工艺时间，保证成膜质量。
基本信息
专利标题 ：
一种硅片加工用扩散氧化装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114622283A
申请号 ：
CN202210074071.0
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-01-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宋福
申请人 ：
宋福
申请人地址 ：
福建省龙岩市上杭县南阳镇罗坊村新华路36号
代理机构 ：
杭州寒武纪知识产权代理有限公司
代理人 ：
殷筛网
优先权 ：
CN202210074071.0
主分类号 ：
C30B31/06
IPC分类号 ：
C30B31/06 C30B31/16 C30B33/00 C30B29/06 H01L21/02 H01L21/223
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B31/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之扩散或掺杂工艺；其所用装置
C30B31/06
同气态扩散材料接触的
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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