一种硅片扩散炉
授权
摘要

本实用新型公开了一种硅片扩散炉,包括炉体,所述炉体的内底部设置有转动机构,所述转动机构的外部对称套设有轴套,所述轴套的两侧固定连接有安装架,所述安装架的内部安装有硅片主体,所述安装架的外表面上对称设置有锁紧螺栓,所述炉体的侧壁上设置有加热装置。本实用新型中,利用电机带动转轴进行转动,转轴转动时可带动主动轮进行转动,主动轮通过皮带的设置可带动从动轮进行转动,从动轮转动时可带动转杆进行转动,转杆转动时可使得安装架上硅片发生转动,当通入的气体与硅片反应时,可保证硅片各处能够进行反应,使得对硅片扩散的更加均匀,效果更好。

基本信息
专利标题 :
一种硅片扩散炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122790126.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-11-15
授权号 :
CN216514265U
授权日 :
2022-05-13
发明人 :
郭城吕明李充王永超
申请人 :
济南科盛电子有限公司
申请人地址 :
山东省济南市章丘市明水经济开发区明埠路中段西面
代理机构 :
山东瑞宸知识产权代理有限公司
代理人 :
杜超
优先权 :
CN202122790126.1
主分类号 :
C30B31/10
IPC分类号 :
C30B31/10  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B31/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之扩散或掺杂工艺;其所用装置
C30B31/06
同气态扩散材料接触的
C30B31/10
反应室;其所用材料的选择
法律状态
2022-05-13 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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