一种使用扩散型SOI硅片制备的半导体器件
授权
摘要
本实用新型的主要目的为提供一种使用扩散型SOI硅片制备的半导体器件，此器件采用浅结扩散硅片和起支撑作用的衬底硅片通过绝缘层如二氧化硅键合替代成本高的外延片或深结扩散片，降低成本；并将背电极引到正面，和其它正面电极达到同面。制造过程采用对有源区硅片先进行扩散，再通过氧化层键合衬底硅片作为支撑，减少高低浓度过渡区，又可将背面高浓度层通过扩散高浓度外环层引到正面，形成电极。此种结构可广泛用于将垂直导通的半导体器件电极引到同一面，可形成低成本表面贴装器件，应用广泛。
基本信息
专利标题 ：
一种使用扩散型SOI硅片制备的半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020397909.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-25
授权号 ：
CN212010933U
授权日 ：
2020-11-24
发明人 ：
杨朔
申请人 ：
上海安微电子有限公司
申请人地址 ：
上海市徐汇区桂平路680号33幢303-45室
代理机构 ：
合肥律众知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙海丽
优先权 ：
CN202020397909.6
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762 H01L27/12
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2020-11-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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