一种半导体器件的制备方法及半导体器件
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，方法包括：半导体衬底上形成有接触结构，接触结构与电容器电连接；在接触结构的上方形成刻蚀停止层；在刻蚀停止层上方形成牺牲层及支撑层的叠层；牺牲层及支撑层均包括至少一层；在每次形成支撑层后对支撑层进行离子注入，并对离子注入后的支撑层进行退火处理；在最顶面的支撑层上方形成硬掩膜层；向支撑层内注入离子，利用离子碰撞释放Si‑O键之间的应力，去除支撑层的残余膜压力；对支撑层进行退火处理，形成具有高致密性的膜，避免半导体器件的电容电极出现弯曲、裂纹或者抬现象；这样无需调整支撑层的沉积条件，无需缩小支撑层的工序窗，确保制备工艺的稳定性及半导体器件的整体性能。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体器件的制备方法及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446885A
申请号 ：
CN202011213203.0
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-11-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金玄永郭挑远徐康元高建峰范正萍杨涛王文武李俊峰
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京华沛德权律师事务所
代理人 ：
房德权
优先权 ：
CN202011213203.0
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8242
申请日 : 20201104
申请日 : 20201104
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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