本发明公开了一种半导体器件的制备方法及半导体器件，所述制备方法包括提供衬底，在所述衬底的上形成堆叠层，所述堆叠层具有与所述衬底接触的第一表面，形成沿第一方向贯穿所述堆叠层且延伸至所述衬底内的沟道结构，所述沟道结构包括沟道层和围绕所述沟道层的存储层，去除所述衬底，以暴露出所述沟道结构的部分所述存储层，去除暴露的所述部分存储层，以露出部分所述沟道层形成沟道层外接部，以及形成位于所述堆叠层的所述第一表面的共源极层，所述共源极层与所述沟道层外接部连接。因此该制备方法可以取代SEG和IMP的工艺，且工艺难度更低，成本更低。由于该制备方法不受堆叠层的层数限制，因此还能使堆叠层的层数进一步加高。