一种硅片扩散后清洗工艺

授权

摘要

本发明提供一种硅片扩散后清洗工艺，具体包括以下步骤，S1：对扩散后的硅片进行酸处理；S2：对所述酸处理的硅片进行混酸处理；S3：对所述混酸处理的硅片进行有机溶剂处理。本发明的有益效果是由于采用上述技术方案，使得硅片在扩散后的清洗更加方便快捷，使得硅片表面的清洁度更易达到生产规格的要求，依次采用氢氟酸清洗、纯水清洗、混酸清洗和纯水清洗，不但能够将硅片表面扩散后的磷硅玻璃和硼硅玻璃去掉，并将扩散后的硅片进行分离，同时能够将硅片表面的杂质清洗干净，使得硅片表面的清洁度达到生产规格要求，为后续工序做好准备，采用无水乙醇对硅片进行清洗，使得硅片表面减少颗粒杂质的吸附，进一步保证硅片表面的清洁度。

基本信息

专利标题：

一种硅片扩散后清洗工艺

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109755099A

申请号：

CN201711057485.8

公开（公告）日：

2019-05-14

申请日：

2017-11-01

授权号：

CN109755099B

授权日：

2022-04-08

发明人：

黄志焕李亚哲徐长坡陈澄梁效峰杨玉聪王晓捧

申请人：

天津环鑫科技发展有限公司

申请人地址：

天津市西青区华苑产业区（环外）海泰东路12号A座二层

代理机构：

天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

栾志超

优先权：

CN201711057485.8

主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L21/02