一种硅片氧化装置
授权
摘要
本实用新型提供一种硅片氧化装置，包括箱体以及置于所述箱体内侧：用于放置硅片并使所述硅片双侧表面裸露的放置单元；用于对所述硅片表面进行加热的加热单元；用于对所述硅片表面进行氧化的氧化单元；和用于对所述硅片冷却的降温单元；所述放置单元被设置于所述箱体底部，所述加热单元、所述氧化单元和所述降温单元均位于所述放置单元的上方。本实用新型提出的氧化装置，结构设计合理且易于控制，仅需要向箱体内通入真空压缩空气和发射紫外线光，即可形成易于氧化硅片表面的臭氧，整个操作过程未使用任何化学试剂，且也不污染空气，而且在硅片表面是非破坏性的，快速准确地在较短的时间内完成对硅片正面的氧化工作，形成所需的氧化层二氧化硅。
基本信息
专利标题 ：
一种硅片氧化装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022530834.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-11-05
授权号 ：
CN213905298U
授权日 ：
2021-08-06
发明人 ：
由佰玲邓春星周迎朝董楠原宇乐苗向春武卫刘建伟刘园孙晨光王彦君祝斌刘姣龙裴坤羽常雪岩杨春雪谢艳袁祥龙张宏杰刘秒吕莹徐荣清
申请人 ：
天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请人地址 ：
天津市滨海新区华苑产业区（环外）海泰东路12号
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN202022530834.7
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/316
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-08-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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