一种硅片去氧化层装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种硅片去氧化层装置，包括酸洗池、放置架、吹气管、加热管和温控器，所述放置架可拆卸的设置在所述酸洗池的底部；所述吹气管的下端设置有出气孔，所述出气孔设置于所述酸洗池的底部；所述加热管设于所述酸洗池内，且所述加热管通过设置于所述酸洗池上的温控器连接并控制其加热温度。本实用新型通过吹气管向酸洗池中不断通入氮气或者惰性气体，使其在酸液中形成气泡，在浮力的作用下，气泡将氧化层与酸液反应后的产物不断带离硅片表面，从而使位置较深的氧化层裸露出来，继续与酸液反应，同时对酸液进行加热，也加快了氧化层与酸液的反应速度，以此达到快速的去除氧化层的效果。
基本信息
专利标题 ：
一种硅片去氧化层装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920613896.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-29
授权号 ：
CN209691728U
授权日 ：
2019-11-26
发明人 ：
朱亚文马勤明
申请人 ：
重庆长捷电子有限公司
申请人地址 ：
重庆市石柱土家族自治县下路镇柏树村
代理机构 ：
深圳市兴科达知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘鑫
优先权 ：
CN201920613896.9
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/673
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2019-11-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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