硅片氧化膜成型设备
授权
摘要
本实用新型涉及一种硅片氧化膜成型设备，包括氧化腔、隔板、加热单元和通氧管，所述氧化腔内设有传输轨道，所述传输轨道自所述氧化腔的输入端延伸至其输出端；至少一个所述隔板将所述氧化腔间隔形成至少两个氧化腔单元；所述加热单元设置在所述氧化腔单元内；所述通氧管设置在所述氧化腔单元内，所述通氧管的表面具有通氧孔。本实用新型通过设置在所述氧化腔内的传输轨道使硅片能够持续传递，以实现能够硅片能够批量化进行氧化膜形成的目的，通过所述隔板将所述氧化腔分隔成多个所述氧化腔单元，使单一的所述氧化腔单元的容积更小，氧气扩散至整个所述氧化腔单元内的速度更快，氧化的均匀性更好。
基本信息
专利标题 ：
硅片氧化膜成型设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123111282.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-10
授权号 ：
CN216528928U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
金津戴军吴廷斌杨欣赵东旭
申请人 ：
元能微电子科技南通有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市开发区驰程路66号
代理机构 ：
苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李艾
优先权 ：
CN202123111282.7
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L21/67
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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