一种硅片高温氧化设备
授权
摘要
本实用新型涉及半导体技术领域，公开了一种硅片高温氧化设备，包括组成设备整体外形的设备外板，设备外板内架设有腔体，腔体内部下方位置水平并排设置有多个陶瓷轴，陶瓷轴从腔体的一侧延伸到另一侧垂直于设备的长度方向设置，陶瓷轴的一端连接传动系统；设备沿长度方向依次包括入料段、升温段、恒温段、冷却段、出料段，恒温段腔体下方设有氧气发生器，氧气发生器向恒温段腔体内供氧，恒温段腔体内部上方设置红外加热管以对腔体加热；冷却段的设备上方装有风扇，风扇下方装多孔透风板，风从上往下吹从而对硅片进行风冷；传动系统、氧气发生器、红外加热管、风扇均电性连接工控电脑和PLC控制系统，该设备氧化所得的硅片氧化一致性好。
基本信息
专利标题 ：
一种硅片高温氧化设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021816618.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-26
授权号 ：
CN212323007U
授权日 ：
2021-01-08
发明人 ：
崔水炜程建万肇勇吴章平
申请人 ：
苏州昊建自动化系统有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州相城经济技术开发区漕湖街道漕湖大道48号1号楼
代理机构 ：
无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王春丽
优先权 ：
CN202021816618.2
主分类号 ：
H01L31/0216
IPC分类号 ：
H01L31/0216 H01L31/18 H01L21/02
法律状态
2021-01-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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