一种半导体制备扩散炉
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摘要
本实用新型公开了半导体制备技术领域的一种半导体制备扩散炉，包括扩散炉主体，所述扩散炉主体左端设置有石英炉门，所述石英炉门内侧设置有保温桶，所述扩散炉主体内部固定设置有滑道，所述滑道上滑动装配有石英舟，所述石英舟的左边设置有挡板，所述挡板通过吊环挂设在扩散炉主体内壁顶端，所述石英舟上方设置有喷淋管，所述石英舟下方设置有排废管，所述排废管旁边设置有TC管，所述喷淋管和排废管均从扩散炉主体右端穿入，所述扩散炉主体右端中间固定设置有进气管，所述进气管内侧设置有匀流板。本实用性性通过以上设计优化，结构简单，密封效果好，喷淋管喷淋均匀，保温隔热效果好，提高了扩散均匀性，实用性强。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体制备扩散炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022209260.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
CN213266791U
授权日 ：
2021-05-25
发明人 ：
王家武杨定永张顺祥阿凤雄罗应强
申请人 ：
云南全控机电有限公司
申请人地址 ：
云南省昆明市中国(云南)自由贸易试验区昆明片区经开区阿拉街道办事处云大西路39号新兴产业孵化区A幢1楼103-105号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202022209260.3
主分类号 ：
C30B31/06
IPC分类号 ：
C30B31/06 C30B31/16 H01L31/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B31/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之扩散或掺杂工艺；其所用装置
C30B31/06
同气态扩散材料接触的
法律状态
2021-05-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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