应用于半导体器件生产的扩散炉
授权
摘要
本实用新型实施例涉及半导体的制造设备技术领域，具体而言，涉及一种应用于半导体器件生产的扩散炉，包括炉体、设置在炉体的空腔并与炉体的内壁固定的旋转装置以及套设于旋转装置的承载件。上述扩散炉处于工作状态时，如果承载件沿重力方向出现塌陷，通过旋转装置能够将承载件进行旋转，使得承载件的塌陷部朝向重力方向的反方向。这样，能够使得朝向重力方向的反方向的塌陷部逐渐往重力方向塌陷，进而在位移上进行互相抵消，最终实现承载件的还原，确保扩散炉的正常工作，无需在扩散炉的正常工作中频繁更换承载件。
基本信息
专利标题 ：
应用于半导体器件生产的扩散炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021048497.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-09
授权号 ：
CN212032994U
授权日 ：
2020-11-27
发明人 ：
杨志伟于越杨微吕飞袁源
申请人 ：
吉林华微电子股份有限公司
申请人地址 ：
吉林省吉林市高新区深圳街99号
代理机构 ：
成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
唐维虎
优先权 ：
CN202021048497.1
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-11-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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