一种半导体器件及其应用
授权
摘要
本发明公开了一种半导体器件及其应用，所述半导体器件包括：衬底；沟道层，设置在所述衬底上；势垒层，设置在所述沟道层上；漏极，设置在所述势垒层上，且与所述沟道层接触；源极，设置在所述势垒层上，且与所述沟道层接触；栅极，设置在所述势垒层上，且位于所述源极和所述漏极之间；以及钝化层，设置在所述势垒层上，且位于所述栅极与所述势垒层之间；氧化层，设置在所述钝化层上，且位于所述栅极与所述钝化层之间。通过本发明提供的一种半导体器件，可提高阈值电压的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体器件及其应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122963183.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-26
授权号 ：
CN216354230U
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
林信南石黎梦
申请人 ：
深圳市晶相技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市坪山区坑梓街道秀新社区锦绣中路14号深福保现代光学厂区B栋511
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
王积毅
优先权 ：
CN202122963183.5
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L21/335 H01L29/06
法律状态
2022-04-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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